Прорыв в производстве флэш-памяти 3D NAND
Учёные нашли способ ускорить формирование 3D NAND — флэш-памяти, данные в которой сохраняются за счёт многослойного расположения ячеек. Основная идея — применение плазмы на основе фтористого водорода, которая позволяет травить глубокие узкие отверстия, необходимые для соединения и чтения слоёв памяти, заметно быстрее ранее используемых технологий.
3D NAND широко применяется в устройствах повседневного пользования — смартфонах, фото- и видеокамерах, ноутбуках и стационарных ПК. В этой архитектуре данные хранятся в ячейках, которые могут быть в двух состояниях: включено или выключено. Чтобы разместить больше ячеек в той же площади, слои памяти укладывают друг над другом. Важнейшую роль здесь играют отверстия и каналы в материалах, через которые проходят электрические сигналы и считываются данные.
Ключ к росту плотности — создание глубоких и узких отверстий, которые позволяют эффективно соединять слои памяти и обеспечивать надёжное функционирование всей структуры.
В исследованиях применён плазменный процесс с фтористым водородом, что позволило увеличить скорость травления более чем в два раза по сравнению с традиционными подходами.
